观点:瑞萨电子推出新型栅极驱动IC,用于驱动EV逆变器的IGBT和SiC MOSFET

全新栅极驱动IC支持1200V功率器件,隔离电压为3 75kVrms全球半导体解决方案供应商瑞萨电子(TSE:6723)今日宣布,推出一款全新栅极驱动IC——R

发布日期:2023-01-30

更多

关于本站 管理团队 版权申明 网站地图 联系合作 招聘信息

Copyright © 2005-2018 创投网 - www.xunjk.com All rights reserved
联系我们:39 60 29 14 2@qq.com
皖ICP备2022009963号-3