一种0.1-1.2GHz的CMOS射频收发开关芯片设计

本文设计了一种低插入损耗、高隔离度的全集成超宽带CMOS射频收发开关芯片。该电路采用深N阱体悬浮技术,在1 8V电压供电下,该射频开关收发两路

发布日期:2021-12-29

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