提供超丰富半导体和电子元器件的业界知名新品引入(NPI)分销商贸泽电子(MouserElectronics)提供英飞凌的各种通用MOSFET。英飞凌丰富

灵活的器件采用PressFit引脚压合技术，在小型封装中内置各种电路配置日前，VishayIntertechnology,Inc （NYSE股市代号：VS

全面优化12V热插拔和软启动应用中控制浪涌电流的RDS(on)和SOA基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布扩展其适用于热插拔和软启动的AS

N沟道器件实现高功率密度，降低导通和开关损耗，提高能效日前，VishayIntertechnology,Inc （NYSE股市代号：VSH）宣布，推出采用

2022年9月6日，瑞能半导体CEOMarkusMosen先生受邀出席了在上海盛大举办的第九届中国国际半导体高管峰会（以下简称：CISES）。在CISES上

该系列产品包含1200V和650V两种规格－东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出新款功率器件---第三代碳化硅（SiC）MOSFET[1][

DFN0603封装提高性能并显著减少空间需求基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布推出采用超小DFN封装的新系列20V和30VMOSF

导读：本文主要介绍的是高频开关电源的原理，感兴趣的盆友们快来学习一下吧~~~很涨姿势的哦~~~1 高频开关电源原理--简介高频开关电源，其英文

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出150VN沟道功率MOSFET---“TPH9R00CQH”。该器件采用最新一代[1]“U-MOSX-

新模型还可在原型设计前对EMC性能进行调查基础半导体元器件领域的高产能生产专家Nexperia（安世半导体）今日宣布MOSFET器件推出全新增强型电热

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英飞凌科技股份公司（FSE:IFX OTCQX:IFNNY）近日推出了全新的采用PQFN2x2mm2封装的OptiMOSTM525V和30

超级结器件降低传导和开关损耗，提高通信、服务器和数据中心应用能效日前，VishayIntertechnology,Inc （NYSE股市代号：VSH）宣布

摘要：本系统实现输入直流电压15V，输出交流电压有效值10V，额定功率10W，交流电压频率在20至100Hz可步进调整。以MSP430单片机为控制核心，产

e络盟日前宣布提供来自全球半导体和系统解决方案领先提供商英飞凌的高压MOSFET产品组合—C7和P6系列CoolMOS™功率MOSFET，它们具备极低的

英飞凌科技股份公司推出800VCoolMOS™P7系列。该800VMOSFET基于超级结技术，兼具出类拔萃的性能和优异的易用性。这个新的产品家族非常适