观点:瑞萨电子推出新型栅极驱动IC,用于驱动EV逆变器的IGBT和SiC MOSFET
全新栅极驱动IC支持1200V功率器件,隔离电压为3 75kVrms全球半导体解决方案供应商瑞萨电子(TSE:6723)今日宣布,推出一款全新栅极驱动IC——R
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